Российские ученые создали алмазный транзистор для космоса и ядерной энергетики

Созданный в Российском технологическом университете МИРЭА электронный компонент, в котором проводимость канала между «истоком» и «стоком» регулируется посредством напряжения на затворе, создающего электрическое поле, подойдет для применения в космосе, ядерной энергетике, радиолокации, связи нового поколения и промышленной электронике. Ключевая особенность конструкции — тонкий слой алмаза толщиной менее одного микрона. Его создали с помощью термохимической обработки, которая устраняет поверхностные дефекты и улучшает электрофизические свойства материала.

Ведущий разработчик проекта, заведующий лабораторией «Алмазная СВЧ-электроника» Андрей Алтухов отметил, что такой транзистор способен работать на 10–15 % эффективнее существующих решений. Он подчеркнул, что сочетание термостойкости, радиационной защиты и энергоэффективности делает устройство особенно перспективным для работы в условиях, где надежность критически важна.

Современные транзисторы, сделанные на базе кремния уже близки к пределу своих возможностей. В условиях экстремальных температур или сильной радиации, например, в космосе или ядерных установках, такие компоненты быстро теряют стабильность. Алмаз же — один из самых термостойких и устойчивых к радиации материалов. У него высокая теплопроводность и широкий запрещенный энергетический диапазон, что делает его идеальной основой для электроники, работающей в агрессивной среде.

Разработки в этой области ведутся по всему миру, но остаются редкостью. Подобными транзисторами занимаются, например, японские и американские компании, однако из-за сложности технологии и высокой стоимости алмазных пластин эти решения пока не пошли в массовое производство. Разработка МИРЭА может стать одним из шагов к тому, чтобы сделать такую электронику более доступной.